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BSP295 H6327 /MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
BSP295 H6327的规格信息
BSP295 H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.8 A

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP295

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:800 mS

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

零件号别名:BSP295H6327XTSA1 SP001058618

单位重量:112 mg

供应商BSP295 H6327
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深圳市鑫智腾创科技有限公司BSP295 H6327深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSP295 H6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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BSP295 H6327MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO442.90 Kbytes共8页BSP295 H6327的PDF下载地址无
BSP295 H6327连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.8V @ 400uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO442.53 Kbytes共8页BSP295 H6327的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-31:¥6.4523
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立创商城		BSP295 H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.8V @ 400uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道1+:￥4.36
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